Auch als → Fotoresist. In der Leiterplattentechnik wird er zur Erstellung des Leiterbilds (Kreisschaltbilds) oder der Lötstoppmaske eingesetzt, wenn es auf große Auflösung und Einhaltung enger Toleranzen ankommt.
Bei der Festresisttechnik wird eine Folie von 25 bis 100 µm Dicke über gewärmte Walzen auf das gereinigte Basismaterial aufgebracht. Der Fotoresist ist durch UV-Licht von 350 bis 420 nm Wellenlänge polymerisierbar und wird dadurch unlöslich.
Durch ein auf die Fotoresistbeschichtete Leiterplatte aufgelegtes Diapositiv werden die freizulegenden Stellen, also bei der Negativtechnik die Leiterbahnen, abgedeckt und der Fotoresist durch Belichten gehärtet. Man entwickelt nun das latente Bild frei. Zur Zeit werden zwei verschiedene systeme verwendet, die Lösungsmittellinie, die zum Entwickeln 1.1.1-Trichlorethan und zum Resistentfernen Methylenchlorid verwendet, und die wässrig-alkalische Linie, in der durch Sodalösung entwickelt und der Resist mit Kalilauge entfernt wird.
Eine Verfahrensalternative benutzt flüssigen Fotolack, der durch Tauchen, Walzen oder elektrostatisches Sprühen aufgetragen wird und durch seine geringe Dicke eine besonders hohe Auflösung gestattet. Bei seltener eingesetzten Positivlacken zerstört das UV-Licht die Fotopolymere und macht sie dadurch im Entwickler löslich. Der gleiche Positivlack kann durch mehrfaches Belichten und Entwickeln unterschiedliche Bereiche auf der Leiterplatte abdecken.