Durchkontaktieren von Leiterplatten, bei der eine große Zahl von Platten in Körben angeordnet gleichzeitig stromlos verkupfert wird. Dabei wird in kurzer Zeit zwischen 2 und 7 µm Kupfer abgeschieden. Obwohl bei der relativ dicken Kupferschicht erhebliche spezifische Chemikalienkosten anfallen, werden diese, insbesondere bei größeren Durchsätzen, durch die geringen Investitionskosten für Anlagen gegenüber der gestelltechnik überkompensiert.