Variante der Kathodenzerstäubung.
Beim Bias-Sputtern wird der Substrathalter nicht auf Masse gelegt, sondern auf eine negative Spannung. Damit liegt das Werkstück dem Plasma gegenüber auf negativem Potenzial. Infolgedessen wird die aufwachsende Schicht einem Ionenbeschuss ausgesetzt. So können lose sitzende Verunreinigungen entfernt und die Schichtstruktur positiv beeinflusst werden.